| 論文種別 | 原著(症例報告除く) |
| 言語種別 | 英語 |
| 査読の有無 | 査読なし |
| 表題 | X-ray Intensity Distribution around the Reciprocal Lattice Points for Porous Silicon Produced by Electrochemical Anodization |
| 掲載誌名 | 正式名:Activity Report Photon Factory |
| 巻・号・頁 | 10,pp.333 |
| 著者・共著者 | O. Nittono, K. Takemoto, H. Yamanashi and H. Sugiyama |
| 発行年月 | 1992 |